젠슨 황 “삼성 고맙다” 공개 극찬…차세대 AI 칩 제조 맡겼다
2026.03.17 07:50
SK 하이닉스, ‘엔비디아 협업’…슈퍼컴퓨터 공개
젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 연례 개발자 회의 ‘GTC 2026’ 기조연설에서 삼성에게 “정말 감사하다”고 언급했다.
AP 통신과 로이터 통신에 따르면 황 CEO는 16일(현지시간) 미국 캘리포니아주 새너제이 소재 SAP센터에서 진행한 기조연설에서 “삼성이 우리를 위해 ‘그록(Groq)3’ 언어처리장치(LPU) 칩을 제조하고 있다. 삼성에게 정말 감사하다”며 이같이 말했다.
황 CEO는 이 칩이 엔비디아의 차세대 인공지능(AI) 칩 플랫폼인 ‘베라 루빈’ 시스템에 들어갈 예정이라고 밝혔다. 그는 “이미 생산 단계에 집입했으며, 최대한 빠르게 생산을 늘리고 있다. 올해 하반기, 아마 3분기께 출하가 시작될 것”이라고 설명했다.
그록3 LPU는 엔비디아의 ‘루빈’ 그래픽처리장치(GPU)와 역할을 나눠 추론 성능과 효율성을 높이는 칩이다. 이번 언급을 통해 해당 칩을 삼성전자의 파운드리(반도체 수탁생산) 사업부가 생산하고 있다는 사실이 파악됐다.
삼성전자는 이날 GTC 행사장에 마련한 전시장을 통해 차세대 고대역폭메모리(HBM)인 ‘HBM4E’의 실물 칩과 적층용 칩인 ‘코어 다이’ 웨이퍼를 처음으로 선보였다. 이와 함께 메모리 부문에서 엔비디아와의 협력하고 있다는 점도 강조했다.
HBM4E는 2026년 하반기 샘플 출하를 목표로 개발 중이며, 핀당 16Gbps(초당 기가비트) 전송 속도와 4.0TB/s(초당 테라바이트) 대역폭을 지원할 것으로 예상된다.
이는 2월 양산 출하를 개시한 6세대 HBM4의 13Gbps 전송속도와 3.3TB/s 대역폭을 넘어서는 성능이다.
삼성전자는 HBM4의 양산을 통해 축적한 1c(10나노급 6세대) D램 공정 기반 기술 경쟁력과 삼성 파운드리의 4㎚(나노미터) 베이스 다이(HBM 맨 아래 탑재되는 핵심 부품) 설계 역량을 바탕으로 HBM4E 개발을 빠르게 늘린다는 계획이다.
또 엔비디아와의 협력 관계를 보여주는 전시품을 전면에 배치하기도 했다.
엔비디아의 차세대 그래픽처리장치(GPU) ‘루빈’에 적용되는 HBM4를 비롯해 중앙처리장치(CPU) ‘베라’용 소캠(SOCAMM·서버용 저전력 메모리 모듈)2, 기업용 6세대 SSD인 'PM1763' 스토리지 등을 통해 베라 루빈 플랫폼 전반에 필요한 메모리를 공급할 수 있다는 점을 강조했다.
한편, SK하이닉스 역시 GTC 행사장에서 ‘엔비디아 협업 존’을 마련해 관련 기술을 소개했다.
해당 공간에서 최신 6세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM4를 포함해 HBM3E, 소캠(SOCAMM·서버용 저전력 메모리 모듈)2 등의 모형과 실물이 함께 전시됐다.
아울러 엔비디아와 협업으로 개발한 수랭식(水冷式) 기업용 솔리드스테이트드라이브(eSSD)와 SK하이닉스의 모바일용 D램 ‘LPDDR5X’가 탑재된 엔비디아의 슈퍼컴퓨터 ‘DGX스파크’도 공개됐다.
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