GTC 2026 개막…삼성 HBM4E 첫 공개·SK는 최태원 출동
2026.03.17 05:30
삼성전자는 지난달 세계 첫 양산 출하한 HBM4(6세대)보다 성능을 개선한 후속작 HBM4E(7세대) 실물을 최초로 공개하며 기술 주도권을 이어가겠다는 의지를 드러냈다. SK하이닉스는 엔비디아 AI플랫폼에 탑재된 HBM4 등을 공개하는 한편, 최태원 SK그룹 회장이 직접 현장을 찾아 파트너십 강화에 나섰다.
삼성전자는 17일 GTC에서 HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 처음 공개했다고 밝혔다. HBM4E는 1나노 D램 공정과 파운드리 4나노 기반 베이스 다이 설계를 적용했다. HBM4E의 데이터 처리 속도는 핀당 16Gbps, 대역폭은 4TB/s다. 이는 최대 속도가 13Gbps(표준 속도 11.7Gbps)이고 대역폭이 3.3TB/s인 HBM4보다 성능이 올라간 것이다. 삼성전자는 HBM4E 역시 HBM4와 마찬가지로 내부의 메모리·자체 파운드리·로직 설계 및 첨단 패키징 역량을 하나로 합쳐서 협업한 결과라며 ‘토털 솔루션’ 제공 역량을 강조했다.
삼성전자는 차세대 HBM 기술력을 좌우하는 패키징과 관련 열 저항을 낮추면서도 16단 이상 고적층 HBM을 구현할 수 있는 하이브리드 코퍼 본딩(HCB) 기술도 영상으로 공개했다. 또한 전시 부스에 ‘엔비디아 갤러리’를 별도로 마련해 베라 루빈 플랫폼에 탑재되는 HBM4 칩과 파운드리 4 나노 베이스 다이 웨이퍼를 배치하고, 베라 중앙처리장치(CPU)에 탑재되는 SOCAMM2, 서버용 스토리지(SSD) PM1763도 함께 선보이며 엔비디아와의 ‘AI 동맹’을 과시했다. 삼성전자는 “종합반도체 기업(IDM)만의 토털 솔루션을 통해 개발 효율을 강화하여 고성능 HBM 시대에도 성능과 품질을 압도하는 기술 선순환 구조를 구축할 계획”이라고 밝혔다.
SK하이닉스는 엔비디아와의 협력을 통한 AI 메모리 기술 경쟁력을 보여주는 데 초점을 맞췄다. SK하이닉스는 HBM4를 비롯해 엔비디아의 여러 AI 플랫폼에 실제 탑재된 HBM3E, SOCAMM2 등 자사 메모리 제품 실물을 전시하며 엔비디아와의 협업을 강조했다. 엔비디아와 협업한 액체 냉각식 기업용 솔리드스테이트드라이브(eSSD), 자사 LPDDR5X가 탑재된 엔비디아 AI 슈퍼컴퓨터 DGX Spark, LPDDR6(저전력 D램), GDDR7(그래픽용 D램), 자동차용 메모리 설루션도 전시한다.
특히 최태원 SK그룹 회장과 곽노정 SK하이닉스 최고경영자(CEO) 등이 GTC에 직접 참석해 글로벌 빅테크 기업 경영진과 만나 중장기 협력 방안을 논의할 예정이다. SK하이닉스는 “AI 기술이 발전할수록 메모리는 단순 부품을 넘어 AI 인프라 전반의 구조와 성능을 좌우하는 핵심 요소로 자리잡고 있다”며 “데이터센터, 온디바이스 등 AI 전 영역을 아우르는 메모리 기술 역량을 기반으로 글로벌 파트너들과 함께 AI의 미래를 만들어 나가겠다”고 밝혔다.
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