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삼성전자·SK하이닉스, 엔비디아 ‘GTC 2026’ 참가…HBM4 공개

2026.03.17 05:31

삼성전자 HBM4 제품 사진. 삼성전자 제공
삼성전자와 SK하이닉스가 16~19일(현지시간) 미국 캘리포니아 새너제이에서 열리는 엔비디아의 연례 개발자 회의 ‘GTC 2026’에 참가했다. 두 회사는 엔비디아의 최신 인공지능(AI) 가속기 ‘베라루빈’에 탑재되는 6세대 고대역폭메모리(HBM) ‘HBM4’를 선보였다.

삼성전자는 메모리와 파운드리(반도체위탁생산), 첨단패키징 등 역량을 모두 보유한 종합반도체기업(IDM)으로서의 강점을 부각해 전시를 연다. ‘HBM4 히어로 홀’을 마련해 삼성전자의 HBM 기술력을 가장 먼저 볼 수 있도록 동선을 구성했다.

삼성전자는 HBM4에 반도체 회로 선폭이 10nm(나노미터·1나노미터는 10억분의 1m)급인 6세대 D램 미세 공정(1c)을 최초 도입해 강도높은 엔비디아의 품질 테스트를 통과했다. 반도체는 공정이 미세해질수록 데이터 처리 속도가 빨라지고 전력 효율이 높아지만, 그만큼 수율(정상품 비율) 관리가 어려워진다. 삼성전자가 HBM4 양산 출하에 성공했다는 건 수율 관리에 성공했다는 의미다.

삼성전자는 4nm 파운드리 공정을 적용한 로직 다이 웨이퍼도 공개했다. 로직 다이는 HBM에 가장 아랫단에 배치되는 장치로, 그래픽처리장치(GPU)와 연결돼 데이터의 이동을 원할하게 제어하는 ‘안내데스크’ 역할을 한다. SK하이닉스의 경우 세계 1위 파운드리 대만 TSMC의 로직 다이를 사용하는 반면, 삼성전자는 자체 공정으로 이를 소화했다. 삼성전자는 로직 다이 설계 역량을 바탕으로 7세대 HBM인 HBM4E 개발에도 속도를 내고 있다. 이번 GTC 2026에선 삼성전자의 HBM4E 실물 칩도 공개됐다.

삼성전자 SOCAMM2 제품 사진

아울러 삼성전자는 베라루빈 플랫폼에 탑재될 서버용 메모리 ‘소캠(SOCAMM)2‘와 ‘eSSD(엔터프라이즈SSD) PM1763’도 공개했다. HBM이 여러 개의 D램을 수직으로 쌓은 제품이라면 소캠은 여러 개의 저전력 D램(LPDDR)을 한 데 묶은 모듈이다. HBM은 GPU 옆에서 빠른 연산을 돕고 소캠은 CPU와 결합해 소비전력 절감에 기여한다. PM1763은 AI가 사용자와 대화할때 맥락을 유지하기 위해 생성하는 캐시 데이터를 임시 저장하는 장소로, 캐시 데이터가 HBM에 몰려 병목 현상이 발생하는 현상을 방지하는 역할을 한다.

SK하이닉스도 ‘스폿라이트 온 AI 메모리’를 주제로 전시 공간을 구성해 AI 메모리 기술력을 소개했다. 특히 ‘엔비디아 협업 존’은 엔비디아와의 협업 성과를 집약적으로 보여주는 핵심 공간이다. SK하이닉스는 이곳에서 HBM4와 HBM3E(5세대), 소캠2 등 SK하이닉스의 메모리 제품이 엔비디아의 AI 플랫폼에 적용된 사례를 소개한다. 엔비디아의 GPU를 기반으로 하는 AI가속기에 실제 탑재된 메모리의 실물 모형을 배치했다. 엔비디와와 협업을 통해 만든 액체 냉각식 eSSD와 SK하이닉스의 저전력 D램이 탑재된 엔비디아의 AI 슈퍼컴퓨터 ‘DGX Spark’도 전시돼 있다.

SK하이닉스는 최태원 SK그룹 회장과 곽노정 대표 등 주요 경영진이 직접 나서 글로벌 기업들과 협력 방안을 모색할 예정이다. 최 회장이 GTC 현장을 찾는 것은 이번이 처음이다. 최 회장은 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)와 만나 HBM 공급 확대 등을 논의할 것으로 보인다. 엔비디아의 AI가속기 로드맵에 따른 차세대 HBM 협력에 대한 논의가 오갈 가능성도 있다. 최 회장과 황 CEO의 만남이 성사된다면 두 사람은 지난달 미국 캘리포니아에서 가진 이른바 ‘치킨집’ 회동 이후 한 달 만에 재회하게 된다.

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